深紫外LED散热唯一途径？

目前深紫外LED虽然具有很多优势且能被市场所认可和采纳，但也存在很多问题影响其广泛使用，如电光转化效率极低、发热严重等。

对于散热，首先深紫外的散热问题与光提取效率离不开关系——由于界面折射率突变等问题，导致大部分深紫外LED出光无法从芯片中逃逸出来，一部分光被困在封装腔体内。另外，由于深紫外LED芯片侧壁出光量较高，传统封装结构无法将深紫外LED侧壁光传导出来，导致出光量降低。

深紫外LED封装器件

由于深紫外LED光电转化效率低，大约只有1-3%被转换成光，而剩余的97%左右则基本被转换成热量，因此深紫外LED芯片结温较高，容易导致芯片性能降低，甚至失效。而且深紫外LED体积小的特点还会导致大部分热量还无法从表面进行散热，进一步加剧对芯片的伤害。

现阶段LED有效散热的唯一途径就是LED背板，而为了避免热应力对芯片造成的损伤，目前市面上UVC-LED基本以倒装芯片搭配高导热氮化铝陶瓷基板的方案为主。氮化铝基板具有很多优势，首先氮化铝陶瓷基板的导热率很高，比氧化铝基板差不多高10倍；其次，氮化铝陶瓷基板还有非常优良的绝缘性，热膨胀系数与芯片材料相匹配，能满足深紫外LED高散热的需求。而且陶瓷材料具有优秀的抗紫外性能，抗老化表现优秀，能有进一步延长深紫外LED的使用周期。

故此，深紫外LED散热问题绝对不容小视，因此氮化铝陶瓷基板在这一领域上大有可为，值得关注。

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