已启动量产！高功率紫外LED的“最佳拍档”终于来了？

发表时间：2021-09-13 08:42

日前，奧趋光电技术（杭州）有限公司，发布了——2英寸（Φ50.8 mm）高质量氮化铝单晶衬底，并启动小批量量产。

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UTI-AlN-050B系列2英寸高质量AlN单晶衬底，及其他各尺寸AlN单晶衬底

据悉，氮化铝（AlN）是新一代超宽禁带半导体高端材料，具有超大禁带宽度（高达6.2 eV）、高热导率、高击穿场强、高热稳定性，以及良好的深紫外透过率等卓越的性能优势，但由于AlN单晶生长难度高、条件苛刻，其制备难度远大于SiC、GaN等。

而小尺寸的AlN单晶虽已在器件研发中广泛使用，但有限的晶圆尺寸和产量无法满足相关领域大规模产线制造的需要，这始终是制约AlN单晶衬底规模化应用的主要瓶颈之一。

这一次，2英寸氮化铝单晶衬底如约而至，高功率深紫外LED、紫外LED、紫外探测器、紫外预警及高功率、高频、高温电子器件等领域有望迎来大功率芯片的最佳衬底材料及解决方案。

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